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PDTB114EQAZ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: PDTB114EQAZ
Descrição: TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série Automotive, AEC-Q101
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 325mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 3-XDFN Exposed Pad
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Frequência - Transição 150MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores DFN1010D-3
Resistor - Base de Emissores (R2) 10 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 500mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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