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2SA949-O(TE6,F,M)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SA949-O(TE6,F,M)
Descrição: TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 800mW
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor PNP
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 120MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-92MOD
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 1mA, 10A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 50mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 150V

Em estoque 82 pcs

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