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2SB1457(TE6,F,M)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Folha de dados: | 2SB1457(TE6,F,M) |
| Descrição: | TRANS PNP 2A 100V TO226-3 |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Parte Status | Obsolete |
| Potência - Máximo | 900mW |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Tipo de transistor | PNP |
| Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
| Frequência - Transição | 50MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-92MOD |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 2A |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 100V |
Em estoque 54 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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