ALD110900APAL
Fabricantes: | Advanced Linear Devices, Inc. |
---|---|
Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | ALD110900APAL |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | EPAD®, Zero Threshold™ |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Embalagem | Tube |
Fet recurso | Standard |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 500mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 10mV @ 1µA |
Temperatura operacional | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-PDIP |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 10.6V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | - |
Em estoque 45 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$6.13 | $6.01 | $5.89 |
Mínimo: 1