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ALD114935PAL

Fabricantes: Advanced Linear Devices, Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: ALD114935PAL
Descrição: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Advanced Linear Devices, Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série EPAD®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Embalagem Tube
Fet recurso Depletion Mode
Parte Status Active
Potência - Máximo 500mW
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.45V @ 1µA
Temperatura operacional 0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540Ohm @ 0V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 10.6V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 12mA, 3mA

Em estoque 91 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.23 $4.15 $4.06
Mínimo: 1

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