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ALD212900ASAL
| Fabricantes: | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Folha de dados: | ALD212900ASAL |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | EPAD®, Zero Threshold™ |
| Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Embalagem | Tube |
| Fet recurso | Logic Level Gate |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 500mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 10mV @ 20µA |
| Temperatura operacional | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 10.6V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 5V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 80mA |
Em estoque 53 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.00 | $3.92 | $3.84 |
Mínimo: 1
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