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CDBGBSC201200-G
| Fabricantes: | Comchip Technology |
|---|---|
| Categoria de produto: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Folha de dados: | CDBGBSC201200-G |
| Descrição: | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Comchip Technology |
| Categoria de produto | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Tube |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
| Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 |
| Tempo de recuperação reverso (trr) | 0ns |
| Atual - Vazamento reverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Temperatura operacional - Junção | -55°C ~ 175°C |
| Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se | 1.8V @ 10A |
| Atual - Médio Corrigido (Io) (por Diode) | 25.9A (DC) |
Em estoque 78 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $17.98 | $17.62 | $17.27 |
Mínimo: 1
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