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DDA114EH-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: DDA114EH-7
Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Cut Tape (CT)
Parte Status Active
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequência - Transição 250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-563
Resistor - Base de Emissores (R2) 10kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) -
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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