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DMG1016V-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: DMG1016V-7
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 530mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Número da parte base DMG1016V
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-563
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 870mA, 640mA

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