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DMG3415UFY4Q-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMG3415UFY4Q-7
Descrição:	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	3-XDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	650mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	X2-DFN2015-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	16V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	282pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V