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DMG3N60SJ3

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMG3N60SJ3
Descrição:	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	41W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-251
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.6nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	354pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V