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DMG8601UFG-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	DMG8601UFG-7
Descrição:	MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	920mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerUDFN
Número da parte base	DMG8601UFG
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.05V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	U-DFN3030-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6.1A