Image is for reference only , details as Specifications

DMN1019USN-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMN1019USN-7
Descrição:	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	680mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SC-59
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50.6nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2426pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V