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DMN1032UCB4-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMN1032UCB4-7
Descrição:	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	4-UFBGA, WLBGA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	900mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	U-WLB1010-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V