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DMN1032UCB4-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: DMN1032UCB4-7
Descrição: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 4-UFBGA, WLBGA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 900mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores U-WLB1010-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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