A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

DMN10H170SFDE-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMN10H170SFDE-13
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	660mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	U-DFN2020-6 (Type E)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V