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DMN10H170SFG-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: DMN10H170SFG-13
Descrição: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 122mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 940mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.9nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870.7pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 5256 pcs

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