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DMN2011UFDE-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMN2011UFDE-7
Descrição:	MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-UDFN Exposed Pad
Número da parte base	DMN2011
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	610mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	U-DFN2020-6 (Type E)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2248pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	11.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V