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DMN2016LHAB-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: DMN2016LHAB-7
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores U-DFN2030-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 7.5A

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