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DMN2019UTS-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: DMN2019UTS-13
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 780mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número da parte base DMN2019
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 7A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.4A

Em estoque 4021 pcs

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