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DMN2022UNS-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	DMN2022UNS-7
Descrição:	MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	1.2W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.3nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1870pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10.7A (Ta)