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DMN3016LDN-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	DMN3016LDN-13
Descrição:	MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 11A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	V-DFN3030-8 (Type J)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 4.5V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.2A (Ta)