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DMN3110LCP3-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMN3110LCP3-7
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	3-XFDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69mOhm @ 500mA, 8V
Dissipação de energia (Max)	1.38W
Pacote de dispositivos de fornecedores	X2-DFN1006-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.52nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V