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DMN61D8LVTQ-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: DMN61D8LVTQ-13
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 820mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Pacote de dispositivos de fornecedores TSOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 630mA

Em estoque 98 pcs

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