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DMN67D8LDW-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: DMN67D8LDW-13
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Standard
Parte Status Active
Potência - Máximo 320mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.82nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 230mA

Em estoque 80 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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