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DMT10H010LSS-13

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMT10H010LSS-13
Descrição:	MOSFET N-CH 100V SO-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.4W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V