A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

DMT10H015LCG-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMT10H015LCG-7
Descrição:	MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-VDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	V-DFN3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.4A (Ta), 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V