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DMT3011LDT-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	DMT3011LDT-7
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	1.9W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-VDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 6A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	V-DFN3030-8 (Type K)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	641pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	8A, 10.7A