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DMT6007LFGQ-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	DMT6007LFGQ-7
Descrição:	MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2090pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	15A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V