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MIMD10A-7-F

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: MIMD10A-7-F
Descrição: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número da parte base MD10A
Resistor - Base (R1) 100Ohms, 10kOhms
Frequência - Transição 250MHz, 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-363
Resistor - Base de Emissores (R2) 10kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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