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UMG4N-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: UMG4N-7
Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequência - Transição 250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-353
Resistor - Base de Emissores (R2) -
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) -
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 86 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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