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ZXMHC10A07N8TC

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: ZXMHC10A07N8TC
Descrição: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Standard
Parte Status Active
Potência - Máximo 870mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base ZXMHC10A07
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 800mA, 680mA

Em estoque 1632 pcs

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