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ZXMN10A08DN8TA

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	ZXMN10A08DN8TA
Descrição:	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Cut Tape (CT)
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	1.25W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 3.2A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.6A