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ZXMN3F31DN8TA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: ZXMN3F31DN8TA
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.8W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.7A

Em estoque 757 pcs

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