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ZXMN6A09DN8TA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: ZXMN6A09DN8TA
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.25W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1407pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.3A

Em estoque 2118 pcs

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