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EPC2012

Fabricantes:	EPC
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	EPC2012
Descrição:	GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	EPC
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	eGaN®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	+6V, -5V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso	-
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Temperatura operacional	-40°C ~ 125°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Dissipação de energia (Max)	-
Pacote de dispositivos de fornecedores	Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	145pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V