A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

EPC2019

Fabricantes:	EPC
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	EPC2019
Descrição:	GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	EPC
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	eGaN®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	+6V, -4V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1.5mA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 7A, 5V
Dissipação de energia (Max)	-
Pacote de dispositivos de fornecedores	Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	8.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V