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EPC2025

Fabricantes: EPC
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: EPC2025
Descrição: GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante EPC
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série eGaN®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) +6V, -4V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 3A, 5V
Dissipação de energia (Max) -
Pacote de dispositivos de fornecedores Die
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 300V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 194pF @ 240V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Em estoque 90 pcs

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