A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

EPC2034

Fabricantes: EPC
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: EPC2034
Descrição: GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante EPC
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série eGaN®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) +6V, -4V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Temperatura operacional -40°C ~ 140°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 5V
Dissipação de energia (Max) -
Pacote de dispositivos de fornecedores Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 48A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Em estoque 99 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
$0
AUIRFS4310ZTRL
Infineon Technologies
$0
IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
$0
IRFS7434TRL7PP
Infineon Technologies
$0