A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

EPC2100

Fabricantes:	EPC
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	EPC2100
Descrição:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	EPC
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	eGaN®
Fet tipo	2 N-Channel (Half Bridge)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	GaNFET (Gallium Nitride)
Parte Status	Active
Potência - Máximo	-
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Ta), 40A (Ta)