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EPC2103ENGRT

Fabricantes: EPC
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: EPC2103ENGRT
Descrição: GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante EPC
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série eGaN®
Fet tipo 2 N-Channel (Half Bridge)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso GaNFET (Gallium Nitride)
Parte Status Active
Potência - Máximo -
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 5V
Pacote de dispositivos de fornecedores Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 23A

Em estoque 5256 pcs

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