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EPC2108

Fabricantes:	EPC
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	EPC2108
Descrição:	GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	EPC
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	eGaN®
Fet tipo	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	GaNFET (Gallium Nitride)
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo	-
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	9-VFBGA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	9-BGA (1.35x1.35)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V, 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.7A, 500mA