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EPC2110

Fabricantes: EPC
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: EPC2110
Descrição: GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante EPC
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série eGaN®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual) Common Source
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso GaNFET (Gallium Nitride)
Parte Status Active
Potência - Máximo -
Pacote / Caso Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 700µA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V
Pacote de dispositivos de fornecedores Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 120V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 60V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.4A

Em estoque 3998 pcs

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