A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto
1N8026-GA
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Folha de dados: | 1N8026-GA |
| Descrição: | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria de produto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Tube |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-257-3 |
| Número da parte base | 1N8026 |
| Capacitance @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-257 |
| Tempo de recuperação reverso (trr) | 0ns |
| Atual - Vazamento reverso @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Atual - Médio Corrigido (Io) | 8A (DC) |
| Temperatura operacional - Junção | -55°C ~ 250°C |
| Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se | 1.6V @ 2.5A |
Em estoque 1 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $198.19 | $194.23 | $190.34 |
Mínimo: 1
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