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1N8026-GA

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto: Diodes - Rectifiers - Single
Folha de dados: 1N8026-GA
Descrição: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
Série -
Embalagem Tube
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-257-3
Número da parte base 1N8026
Capacitance @ Vr, F 237pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-257
Tempo de recuperação reverso (trr) 0ns
Atual - Vazamento reverso @ Vr 10µA @ 1200V
Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Atual - Médio Corrigido (Io) 8A (DC)
Temperatura operacional - Junção -55°C ~ 250°C
Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se 1.6V @ 2.5A

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