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1N8035-GA
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Folha de dados: | 1N8035-GA |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria de produto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Tube |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-276AA |
| Número da parte base | 1N8035 |
| Capacitance @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-276 |
| Tempo de recuperação reverso (trr) | 0ns |
| Atual - Vazamento reverso @ Vr | 5µA @ 650V |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Atual - Médio Corrigido (Io) | 14.6A (DC) |
| Temperatura operacional - Junção | -55°C ~ 250°C |
| Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se | 1.5V @ 15A |
Em estoque 53 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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