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GA03JT12-247

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: GA03JT12-247
Descrição: TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo -
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id -
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 3A
Dissipação de energia (Max) 15W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247AB
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1200V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3A (Tc) (95°C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -

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