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GA04JT17-247

Fabricantes:	GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	GA04JT17-247
Descrição:	TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	-
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	-
Temperatura operacional	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480mOhm @ 4A
Dissipação de energia (Max)	106W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-247AB
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1700V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4A (Tc) (95°C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-