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GA10JT12-263
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | GA10JT12-263 |
| Descrição: | TRANS SJT 1200V 25A |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | - |
| Fet tipo | - |
| Embalagem | Tube |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Temperatura operacional | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
| Dissipação de energia (Max) | 170W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 1200V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Em estoque 721 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $19.24 | $18.86 | $18.48 |
Mínimo: 1
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