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GA50JT17-247

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: GA50JT17-247
Descrição: TRANS SJT 1.7KV 100A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo -
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id -
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A
Dissipação de energia (Max) 583W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1700V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -

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