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GB01SLT12-252

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto: Diodes - Rectifiers - Single
Folha de dados: GB01SLT12-252
Descrição: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoria de produto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
Série -
Embalagem Cut Tape (CT)
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número da parte base GB01SLT12
Capacitance @ Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252
Tempo de recuperação reverso (trr) 0ns
Atual - Vazamento reverso @ Vr 2µA @ 1200V
Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Atual - Médio Corrigido (Io) 1A
Temperatura operacional - Junção -55°C ~ 175°C
Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se 1.8V @ 1A

Em estoque 357 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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