A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto
MBR600200CTR
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Folha de dados: | MBR600200CTR |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria de produto | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | Twin Tower |
| Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Twin Tower |
| Atual - Vazamento reverso @ Vr | 3mA @ 200V |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Temperatura operacional - Junção | -55°C ~ 150°C |
| Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se | 920mV @ 300A |
| Atual - Médio Corrigido (Io) (por Diode) | 300A |
Em estoque 85 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $127.94 | $125.38 | $122.87 |
Mínimo: 1
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